Цоколёвка Импортных Транзисторов
Транзисторы Слово Transistor является аббревиатурой и представляет собой комбинацию слов Trans fer + Var istor, используемых для описания их режима работы еще в первые дни своего создания. Три изобретателя транзистора: (слева направо) Уильям Шокли, Джон Бардин. И Уолтер Браттен. Которые были награждены Нобелевской премией 1956 года по физике. Первый транзистор Добавьте дополнительный полупроводниковый слой к соединительному диоду, и вы получите BJT. BJT - трехслойный (легированный) полупроводниковый 'сэндвич',который может быть либо PNP, либо NPN. BJT - это регулятор тока, управляемый током.
Маркировка транзисторов зарубежных и отечественных.SMD. Прежде всего, отметим, что по многим причинам подбор подходящих отечественных аналогов мощных импульсных транзисторов для замены неисправных импортных сделать не так просто.. 1 показаны цоколевки транзисторов, перечисленных в табл. Различные типы корпусов, близких по присоединительным размерам, сгруппированы и показаны одним рисунком. В действительности каждый корпус имеет индивидуальные особенности.
Основной ток протекает от эмиттера к коллектору ( PNP ) или от коллектора к эмиттеру ( NPN ). Вы управляете основным током, изменяя базовый ток. Управляющий ток протекает от эмиттера до базы ( PNP -прямая проводимость) или от базы к эмиттеру ( NPN -обратная проводимость). Маленькая стрелка на эмиттере всегда указывает направлении тока / Ток эмиттера = базовый ток + ток коллектора по KCL (международный калибровочный стандарт для измерения электропроводности). BJT являются «биполярными», потому что они используют оба типа несущей (электроны + дырки). Когда базовый ток равен 0 (или меньше порогового тока), транзистор выключен (становится полностью непроводящим.
Цоколевка Импортных Тиристоров
Когда базовый ток максимален, транзистор насыщается (становится полностью проводящим). Поскольку подвижность электронов больше подвижности дырок, NPN является более распространенным. Управляемый ток протекает через 2 внешних слоя, а не в базовом.
BJT как переключатель Примечание: BJTs фактически имеют 5 рабочих режимов (а не только обрезание или насыщение) / Для наших целей мы будем иметь дело главным образом с областями отсечки и насыщения, что позволяет нам использовать BJT в качестве прогрессивного переключателя Крошечный сигнал, взятый из микрофона (представьте себе хлопок), однажды выпрямленный, можно использовать для включения базы транзистора и включения лампы. Крошечный ток будеи управлять гораздо большим током (усилением).
Аккумулятор обеспечивает больший ток, а не транзистор (без магии). Чем громче хлопок, тем ярче горит лампочка (активный режим) пока не достигнет насыщения. BJT, как мы уяснили, это в основном управляемое током устройство. Характеристика О бщ ая б аза О бщий эмиттер О бщий к оллектор Входное сопротивление Низк ое средн ее Высок ое Выходное сопротивление Очень высоко Высок ое Низк ое Угол фазы 0 o 180 o 0 o Напряжение Высок ое средн ее Низк ое Текущий прирост Низкий средний Высок ий Усиление мощности Низкий Очень высок ий средний Типичная схема подключения Решим задачку Дано: V B - 5 В R — 1 кОм h fe = 50 Найти: I ce -? Решение: I BE = = = 0,005A I CE = I BE h fe = 0,005 x 50 = 0,25A Вывод: Если на базу подаётся 5 В через резистор в 1 кОм, транзистор откроется настолько, что будет способен пропустить до 250 мА. При этом управляющий ток составит всего 5 мА Биполярный транзистор в качестве переключателя Когда база NPN-транзистора заземлено (0 вольт) и ток базы отсутствует, Ib течет, ток не течет от эмиттера к коллектору, и поэтому транзистор отключается «OFF».
Цоколевка Импортных Полевых Транзисторов
Если база смещена вперед более чем на 0,7 вольт, ток будет протекать от эмиттера к коллектору, и транзистор считается включенным. При работе в этих двух режимах транзистор работает как переключатель. Проблема здесь заключается в том, что база транзисторов должна переключаться между нулем и некоторым большим положительным значением, чтобы транзистор стал насыщенным, в этот момент увеличенный базовый ток Ib поступает в устройство, в результате чего ток коллектора Ic становится большим, а Vce маленьким. Тогда мы можем видеть, что небольшой ток на базе может управлять гораздо большим током, протекающим между коллектором и эмиттером. Отношение тока коллектора к базовому току ( β ) известно как коэффициент усиления тока транзистора. Типичное значение β для стандартного биполярного транзистора может находиться в диапазоне от 50 до 200 и может варьироваться даже между транзисторами с одинаковой кодировкой цифрами но разными буквами.
Читаем далее по теме.